테크니컬 노트도금깊은 비아의 이온 공급과 나노플러싱 액교환
깊은 유리 관통비아에서 구리도금이 느려지는 원인을 이온 공급 관점에서 살피고, 질소 나노버블로 비아 내부 액체를 교체하는 개발 구상과 단계별 검증 계획을 정리한 기술 자료다.
인사이트
반도체 패키징 기술과 산업에 관한 쿨스의 리포트, 브리프, 테크니컬 노트입니다.
테크니컬 노트도금
리포트태양광ITO 없는 양면 초박막 금속전극 투명 페로브스카이트 태양전지
투명 페로브스카이트 태양전지의 양쪽 전극에서 ITO를 없애고 초박막 연속 금속막으로 대체하는 소자 구조와, 전극을 습식·저온으로 만드는 제조 공정, 적용 분야를 정리한 리포트다.
테크니컬 노트패키징Intel EMIB-T를 위한 1470 nm 선택 접합
Intel EMIB-T 패키지에서 로직 다이를 접합할 때 생기는 열 노출 문제를 다룬다. 가압은 유지하면서 발열 위치를 접합부로 옮기는 공정과, Intel과 함께 진행할 공동 검증 프로그램을 제안한 기술 자료다.
테크니컬 노트CPO접합 공정과 PIC 동작을 잇는 CPO 열설계
CPO에서 열이 문제가 되는 두 지점, EIC–PIC 접합 공정과 PIC 내부 열광학 조절부를 함께 다룬다. 각 위치에 맞춰 열이 지나는 경로를 설계하는 방법을 정리한 기술 자료다.
테크니컬 노트장비부품반도체 챔버부품의 니어넷 코어·SiC 기능층·HIP 제조 플랫폼
포커스링·에지링 같은 반도체 챔버부품을 반응충전 SiC 코어와 전구체 유래 SiC 기능층으로 나눠 만드는 제조 플랫폼의 설계 원칙과 공정, 평가 계획을 정리한 기술 자료다.
테크니컬 노트도금비아 유동공진 도금의 작동원리와 장치 구현
고종횡비 유리 관통비아를 전해도금할 때 비아 내부의 이온 공급을 음향 가진으로 바꾸는 원리와, 이를 구현하는 장치 배치·운전 조건·평가 방법을 정리한 기술 자료다.
테크니컬 노트열제어오븐 어닐링과 1500 nm 계면 선택가열
COUPE 구조에서 열이 필요한 곳은 EIC와 PIC 사이 접합계면이다. 그런데 오븐 어닐링은 지지 실리콘과 광소자를 포함한 적층체 전체에 열을 넣는다. 광 경로와 결합 정렬이 열에 민감한 구조에서 이 차이가 무엇을 바꾸는지 정리한 기술 자료다.
테크니컬 노트HBM12단 HBM, 유전체 선접합 후 Cu 일괄 연결
HBM이 12단으로 올라가면 다이는 얇아지고 계면은 늘어난다. 층마다 접합과 열처리를 반복하든 유전체를 먼저 쌓고 오븐에 넣든 적층체 전체가 열이력을 받는다. 12단을 유전체로 먼저 고정하고 Cu 연결은 1500 nm 광열 처리 한 번으로 완성하는 공정을 정리한 기술 자료다.
브리프패키징대면적 패키지의 워피지와 접합 사이클 타임
여러 GPU 다이와 다수의 HBM을 하나의 인터포저에 올리는 구조가 추진되면서 패키지 면적이 급격히 커지고 있다. 면적이 커지는 순간 접합 공정에서 워피지가 전면에 나온다. 형상을 구속하는 방식과 가열·냉각 시간을 줄이는 방식이 어떻게 맞물리는지 정리한 글이다.