테크니컬 노트HBM12단 HBM, 유전체 선접합 후 Cu 일괄 연결
HBM이 12단으로 올라가면 다이는 얇아지고 계면은 늘어난다. 층마다 접합과 열처리를 반복하든 유전체를 먼저 쌓고 오븐에 넣든 적층체 전체가 열이력을 받는다. 12단을 유전체로 먼저 고정하고 Cu 연결은 1500 nm 광열 처리 한 번으로 완성하는 공정을 정리한 기술 자료다.
인사이트
반도체 패키징 기술과 산업에 관한 쿨스의 리포트, 브리프, 테크니컬 노트입니다.
테크니컬 노트HBM
브리프패키징대면적 패키지의 워피지와 접합 사이클 타임
여러 GPU 다이와 다수의 HBM을 하나의 인터포저에 올리는 구조가 추진되면서 패키지 면적이 급격히 커지고 있다. 면적이 커지는 순간 접합 공정에서 워피지가 전면에 나온다. 형상을 구속하는 방식과 가열·냉각 시간을 줄이는 방식이 어떻게 맞물리는지 정리한 글이다.
브리프열제어접합 계면은 뜨거워야 하고 나머지는 차가워야 한다
첨단 패키징은 접합 계면에 빠른 반응을 요구하면서 그 주변 구조에는 점점 낮은 열예산을 허용한다. 두 요구는 서로 충돌한다. 조립체 전체를 데웠다 식히는 방식 대신 에너지가 결합되는 지점을 공간과 시간에 따라 전환하는 접근을 HBM 본딩과 CPO 집적 두 공정에서 정리했다.
테크니컬 노트열제어웨이퍼 전체가 아닌 Cu 접합계면만 가열하는 하이브리드 본딩
하이브리드 본딩은 Cu 접합을 완성하기 위해 웨이퍼 전체를 0.5~4시간 가열한다. 접합에 필요한 열은 계면 근방 수 마이크로미터에만 필요한데도 그렇다. 1500 nm 광을 실리콘 기판으로 투과시켜 Cu 패드 배면 흡수층에서만 나노초 동안 열을 발생시키는 접근과 그 설계 근거를 정리한 기술 자료다.
테크니컬 노트접합소재전력반도체 세라믹기판 접합에서 Ag를 제거하는 Cu 소결 기술
전력반도체 접합에서 은을 구리로 바꾸려는 시도는 오래 이어져 왔다. 그 전환을 막아온 것이 수 나노미터 두께의 Cu 산화막이다. 환원 기능과 산화방지 기능을 하나의 표면층에 합친 PDA 기능층으로 이 장벽을 다루는 접근과 그 근거를 정리한 기술 자료다.
테크니컬 노트유리기판글라스 코어 기판에서 초대형 글라스 인터포저까지
글라스 패키지 기판과 글라스 인터포저는 비아 크기와 배선 밀도가 다를 뿐 제조 원리가 같다. 대면적화가 신뢰성 요구조건 자체를 바꾸는 지점과, 연속성과 접근성 중 하나를 골라야 했던 기존 TGV 금속화의 트레이드오프를 다룬 기술 자료다.
브리프열제어HBM 후공정 경쟁의 다음 격차는 장비가 아니라 냉각시간에서 만들어진다
2026년 3월 국내 장비기업이 2.5D 열압착 본더의 중국·대만 파운드리 공급 계획을 공개했다. 후공정 경쟁의 기준이 장비 보유에서 사이클타임 관리로 이동하는 국면을 짚고, 그 병목이 접합 후 냉각 구간에 있는 물리적 근거를 정리한 글이다.
리포트열제어중국 메모리 후공정 역량 확장과 HBM 제조 경쟁구도의 변화
후공정 핵심장비의 접근 장벽이 낮아지는 국면에서 국내 기업이 보유한 우위가 무엇에 근거하고 있는지 세 층으로 분해하고, 접합부 냉각 원리의 전환이 갖는 의미를 분석한 산업 보고서다.