브리프패키징대면적 패키지의 워피지와 접합 사이클 타임
여러 GPU 다이와 다수의 HBM을 하나의 인터포저에 올리는 구조가 추진되면서 패키지 면적이 급격히 커지고 있다. 면적이 커지는 순간 접합 공정에서 워피지가 전면에 나온다. 형상을 구속하는 방식과 가열·냉각 시간을 줄이는 방식이 어떻게 맞물리는지 정리한 글이다.
인사이트
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브리프패키징
테크니컬 노트열제어웨이퍼 전체가 아닌 Cu 접합계면만 가열하는 하이브리드 본딩
하이브리드 본딩은 Cu 접합을 완성하기 위해 웨이퍼 전체를 0.5~4시간 가열한다. 접합에 필요한 열은 계면 근방 수 마이크로미터에만 필요한데도 그렇다. 1500 nm 광을 실리콘 기판으로 투과시켜 Cu 패드 배면 흡수층에서만 나노초 동안 열을 발생시키는 접근과 그 설계 근거를 정리한 기술 자료다.
테크니컬 노트접합소재전력반도체 세라믹기판 접합에서 Ag를 제거하는 Cu 소결 기술
전력반도체 접합에서 은을 구리로 바꾸려는 시도는 오래 이어져 왔다. 그 전환을 막아온 것이 수 나노미터 두께의 Cu 산화막이다. 환원 기능과 산화방지 기능을 하나의 표면층에 합친 PDA 기능층으로 이 장벽을 다루는 접근과 그 근거를 정리한 기술 자료다.
테크니컬 노트유리기판글라스 코어 기판에서 초대형 글라스 인터포저까지
글라스 패키지 기판과 글라스 인터포저는 비아 크기와 배선 밀도가 다를 뿐 제조 원리가 같다. 대면적화가 신뢰성 요구조건 자체를 바꾸는 지점과, 연속성과 접근성 중 하나를 골라야 했던 기존 TGV 금속화의 트레이드오프를 다룬 기술 자료다.