테크니컬 노트열제어웨이퍼 전체가 아닌 Cu 접합계면만 가열하는 하이브리드 본딩
하이브리드 본딩은 Cu 접합을 완성하기 위해 웨이퍼 전체를 0.5~4시간 가열한다. 접합에 필요한 열은 계면 근방 수 마이크로미터에만 필요한데도 그렇다. 1500 nm 광을 실리콘 기판으로 투과시켜 Cu 패드 배면 흡수층에서만 나노초 동안 열을 발생시키는 접근과 그 설계 근거를 정리한 기술 자료다.
인사이트
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테크니컬 노트열제어
테크니컬 노트접합소재전력반도체 세라믹기판 접합에서 Ag를 제거하는 Cu 소결 기술
전력반도체 접합에서 은을 구리로 바꾸려는 시도는 오래 이어져 왔다. 그 전환을 막아온 것이 수 나노미터 두께의 Cu 산화막이다. 환원 기능과 산화방지 기능을 하나의 표면층에 합친 PDA 기능층으로 이 장벽을 다루는 접근과 그 근거를 정리한 기술 자료다.
테크니컬 노트유리기판글라스 코어 기판에서 초대형 글라스 인터포저까지
글라스 패키지 기판과 글라스 인터포저는 비아 크기와 배선 밀도가 다를 뿐 제조 원리가 같다. 대면적화가 신뢰성 요구조건 자체를 바꾸는 지점과, 연속성과 접근성 중 하나를 골라야 했던 기존 TGV 금속화의 트레이드오프를 다룬 기술 자료다.