출원 전체 목록

출원 특허 2,713건, 2026년 9월 19일 기준

• 무계면 비저항 구배를 갖는 일체형 반응결합 탄화규소 소결체, 그 제조방법 및이를 포함하는 플라즈마 처리장치용 부재

  10-2026-0107994 2026년 6월 13일

• 예비 비아와 적응형 재배선에 의한 결함복원형 관통전극 유리 기판 및 그 제조방법

  10-2026-0107972 2026년 6월 13일

• 구리 필러 선행 형성 및 유리 오버몰딩에 의한 관통전극 일체형 유리 기판 및그 제조 방법

  10-2026-0107976 2026년 6월 13일

• 탄화규소 트렌치 게이트 전계효과 트랜지스터의 측벽 게이트 유전체 계면 패시베이션 구조, 이를 포함하는 소자 및 그형성 방법

  10-2026-0107958 2026년 6월 13일

• 저융점상 또는 저열안정상을 포함하는지지체에 접합된 반도체층의 표면 국소고온 공정 방법 및 복합 구조체

  10-2026-0107979 2026년 6월 13일

• 컨택 플러그 내재 흡수체와 내재화 반응종 리저버를 이용한 실리사이드 계면의국소 광열 처리 방법 및 반도체 컨택 구조

  10-2026-0107981 2026년 6월 13일

• 다중패스 흡수 컨택 스택을 이용한 반도체 컨택의 관통 조사 레이저 어닐 방법및 컨택 구조

  10-2026-0107982 2026년 6월 13일

• 반응소결 탄화규소 핸들 기반 탄화규소복합 기판, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전력반도체 소자 및 전력 모듈

  10-2026-0107984 2026년 6월 13일

• 일체 성형 가스 분사공을 갖는 일체형탄화규소 샤워헤드 부재, 그 제조방법및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치

  10-2026-0107987 2026년 6월 13일

• 일체형 탄화규소 핫월 부재를 구비한 플라즈마 처리장치, 핫월 부재 및 그 운전방법

  10-2026-0107993 2026년 6월 13일

• 탄화규소 전계효과 트랜지스터의 불소함유 리저버를 이용한 게이트 유전체 계면 패시베이션 구조, 이를 포함하는 소자 및 그 형성 방법

  10-2026-0107960 2026년 6월 13일

• 양전하성 표면 기능층을 구비하는 질산화 생물막 담체 및 이를 이용한 순환여과식 양식수의 질산화 효율 향상 방법

  10-2026-0106143 2026년 6월 11일

• 전사된 본체임을 나타내는 검출 가능한구조지문을 갖는 미세배선 구조체 및 그반도체 패키지

  10-2026-0105112 2026년 6월 10일

• 평탄 임시 캐리어 상의 세미애디티브 공정으로 형성한 미세배선 구조체를 시스템 실장용 보드에 직접 전사하는 패키지기판 제거형 반도체 패키지의 제조방법및 그 미세배선 구조체

  10-2026-0105113 2026년 6월 10일

• 임시 캐리어 전사식 고밀도 재배선체를구비한 패키지기판 제거형 반도체 패키지 및 그 형성방법

  10-2026-0105114 2026년 6월 10일

• 복수의 변환 구역이 서로 다른 변환비를갖는 전사형 다구역 팬아웃 미세배선 구조체 및 그 반도체 패키지

  10-2026-0105115 2026년 6월 10일

• 고유전율 금속 게이트에서 게이트 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하고 유전체의 토착 수소를 잠재 리저버로 이용한고유전율/실리콘 계면의 서브밴드갭 광열 수소 패시베이션 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105062 2026년 6월 9일

• 투과성 기판 상의 산화물 반도체 박막트랜지스터를 전극 금속 자기정렬 흡수체로 국부 광열하여 산소 결손과 수소를제어하고 급랭 동결하는 방법 및 박막트랜지스터 소자

  10-2026-0105051 2026년 6월 9일

• 내재 산소 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 계면의 비평형 저열예산 산화·치밀화 방법 및 그에의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0105043 2026년 6월 9일

• 고압 수소 어닐을 대체하는 무챔버 서브밴드갭 패시베이션을 이용한 고유전율금속 게이트 로직 소자의 제조 방법 및그 로직 소자

  10-2026-0105044 2026년 6월 9일

• 내재 질소 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 탄화규소 계면의 비평형 질화 패시베이션 방법 및그에 의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0105045 2026년 6월 9일

• 전극 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하여 저항변화 또는 상변화 메모리 박막을국부 광열하고 급랭으로 저항 상태를 결정하는 내부 상태를 동결하는 방법 및메모리 소자

  10-2026-0105046 2026년 6월 9일

• 내재 수소·중수소 리저버와 서브밴드갭국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 매립계면의 비평형 패시베이션 방법 및 그에의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0105047 2026년 6월 9일

• 전극 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하여 산화하프늄계 강유전 박막을 국부 광열하고 급랭으로 준안정 강유전 직방정상을 동결하는 방법 및 강유전 메모리소자

  10-2026-0105048 2026년 6월 9일

• 내재 반응성 화학종 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 매립 계면의 비평형 화학처리 방법 및 그에 의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0105049 2026년 6월 9일

• 내재 반응성 화학종 리저버와 자기정렬흡광 캐비티를 구비하는 반도체 구조물

  10-2026-0105050 2026년 6월 9일

• 게이트 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하여 고유전율/실리콘 계면을 국부 광열질화 또는 플루오린화하고 급랭으로 안정 종단하는 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105054 2026년 6월 9일

• 기판을 투과하는 서브밴드갭 광을 본딩계면의 금속 패드가 선택 흡수하여 매립본딩 계면을 국부 광열 접합하는 방법및 본딩 구조체

  10-2026-0105053 2026년 6월 9일

• 국부 광열, 계면 내재 수소 리저버 및 비평형 급랭 동결을 이용한 매립 계면의수소 패시베이션 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105061 2026년 6월 9일

• 고유전율/실리콘 계면의 계면 산화층 및산소 결손을 국부 광열과 산소 재분포및 급랭 동결로 제어하는 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105055 2026년 6월 9일

• 다단 적층 구조의 형성 중 각 단을 최상층인 동안 광열 패시베이션하는 동시 형성-패시베이션 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105056 2026년 6월 9일

• 고유전율 유전체에 내재된 토착 수소를비평형 급랭으로 안정 종단으로 전환하는 광열 처리 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105057 2026년 6월 9일

• 기판 투과성 서브밴드갭 광의 표적 선택흡수에 의한 계면 선택적 광열처리 방법및 장치

  10-2026-0105058 2026년 6월 9일

• 고압 산화를 대체하는 무챔버 서브밴드갭 산화·치밀화를 이용한 고유전율 금속게이트 로직 소자의 제조 방법 및 그 로직 소자

  10-2026-0105041 2026년 6월 9일

• 소자의 도전성 기능 금속을 자기정렬 흡수체로 이용한 매립 계면의 서브밴드갭광열처리 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105059 2026년 6월 9일

• 내재 질소 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 계면의 비평형 질화 패시베이션 방법 및 그에 의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0105042 2026년 6월 9일

• 탄화규소 및 질화갈륨 전력 반도체의 매립 계면을 전극 금속 자기정렬 흡수체로국부 광열하고 계면 내재 리저버를 급랭동결하여 패시베이션하는 방법 및 전력반도체 소자

  10-2026-0105052 2026년 6월 9일

• 내재 산소 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 탄화규소 게이트 산화막의 저열예산 형성·치밀화 방법 및 그에 의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0105040 2026년 6월 9일

• 고유전율 금속게이트 계면의 불소 강결합 패시베이션 방법 및 그 구조

  10-2026-0105030 2026년 6월 9일

• 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을이용한 하이브리드 본딩 계면의 비평형패시베이션 또는 개질 방법 및 그에 의하여 처리된 본딩 구조물

  10-2026-0105039 2026년 6월 9일

• 능동 또는 수동 미세기포 공급부와 결합된 양전하성 선체 외표면 기능층 통합 구조 및 이를 이용한 선박 마찰저항 저감 방법

  10-2026-0105019 2026년 6월 9일

• 외부 동력 기반 능동 캐비테이션 공급부와 결합된 양전하성 선체 외표면 기능층구조 및 이를 이용한 선박 마찰저항 저감 방법

  10-2026-0105020 2026년 6월 9일

• 동압 흡입형 수동 캐비테이터와 결합된양전하성 선체 외표면 기능층 구조 및이를 이용한 선박 마찰저항 저감 방법

  10-2026-0105021 2026년 6월 9일

• 선체 외표면용 다층 적층 구조 및 수중갱신 공정을 포함하는 아민기 함유 표면기능층 제조 방법

  10-2026-0105024 2026년 6월 9일

• 미세기포의 표면 근방 체류성을 향상시키는 아민기 함유 표면 기능층을 구비하는 선박 선체 및 이를 이용한 마찰저항저감 방법

  10-2026-0105026 2026년 6월 9일

• 고유전율 금속게이트 계면의 질소 질화및 혼합 패시베이션 방법 및 그 구조

  10-2026-0105029 2026년 6월 9일

• 미세기포의 정전 친화 작용을 정량화한양전하성 선체 외표면 구조 및 그 평가방법

  10-2026-0105025 2026년 6월 9일

• 반도체 소자의 불소 강결합 매립 계면패시베이션 방법 및 그 구조

  10-2026-0105031 2026년 6월 9일

• 수소 또는 중수소 리저버와 서브밴드갭국부 광열을 이용한 탄화규소 계면의 보조 패시베이션 방법 및 그에 의하여 처리된 소자

  10-2026-0105032 2026년 6월 9일

• 서브밴드갭 국부 광열을 이용한 3차원적층 소자의 상층 티어 계면 저온 처리방법 및 그에 의하여 처리된 소자

  10-2026-0105033 2026년 6월 9일