출원 전체 목록

출원 특허 2,713건, 2026년 9월 19일 기준

• 앵커기와 저장기 및 탈차폐성 전하 차폐층을 갖는 활성종 표적 담체 및 그 제조방법

  10-2026-0137626 2026년 7월 26일

• 인지질 단분자막을 경계로 외측 아민계고분자 디아제늄디올레이트층과 코어아릴화 디아제늄디올레이트가 격리된이중살상 저밀도 지단백 조성물 및 그품질 판정방법

  10-2026-0137633 2026년 7월 26일

• 동일 운반체에 공간적으로 분리 배치된초기 고방출부와 세포내 활성화형 지속작동부를 포함하는 시간프로그램형 세포 사멸 조성물 및 그 제조방법

  10-2026-0137634 2026년 7월 26일

• 산화·질화 스트레스를 생성하는 효소의발현과 항산화 방어 인자의 발현 억제를단일 리보핵산에서 동시에 수행하는 이중기능 자가증폭 리보핵산 구성물 및 이를 포함하는 혈액암 치료용 조성물

  10-2026-0137635 2026년 7월 26일

• 표적세포의 회복 개시 시점 이전에 후속작동구간이 개시되는 무공백 시간분리형 세포독성 작동 조성물 및 그 작동파형의 설계방법

  10-2026-0137632 2026년 7월 26일

• 저밀도 지질단백질 수용체 매개 내재화와 글루타티온 전이효소 촉매 방출을 결합하여 산화질소 공급과 글루타티온 소모를 동일 반응에서 수행하는 혈액암 표적 전달체 및 그 제조방법

  10-2026-0137631 2026년 7월 26일

• 외부 산화질소 부하가 유도한 항산화 보상 전사를 표적으로 삼도록 시간창을 설정한 혈액암 순차 치료 조합물, 복합 전달 조립체 및 투여시점 결정방법

  10-2026-0137630 2026년 7월 26일

• 환자 유래 세포의 실제 노출에 의한 초기 및 지속 감수성 측정에 기초한 저밀도 지단백 수용체 고흡수 혈액암의 동적선별방법 및 시타라빈 선행 순차 투여요법

  10-2026-0137629 2026년 7월 26일

• 혈중에서 잠금되고 세포내 산성 구획에서 해제되는 고밀도 아민계 고분자 디아제늄디올레이트 초기 방출부를 포함하는 조성물 및 그 잠금 성능의 판정방법

  10-2026-0137628 2026년 7월 26일

• 산화·질화 스트레스 공급 기능부와 항산화 방어능 저하 기능부를 결합부에 의하여 동일 세포에서 연계한 프로그램형 혈액암 치료용 조성물, 전달체 및 그 제어방법

  10-2026-0137627 2026년 7월 26일

• 전이 적격 순환종양세포 유래 프로그램형 사멸잔해를 유효성분으로 포함하는개인맞춤형 자가 종양백신 조성물 및 그제조방법

  10-2026-0137571 2026년 7월 26일

• 엔도리소좀 초기막 손상에 의해 후속 작동부의 세포질 이행이 촉진되고 세포질·미토콘드리아 지속살상이 연속되는 자기촉진형 구획전환 세포사멸 조성물 및방법

  10-2026-0137625 2026년 7월 26일

• 지용성 활성종 공여체를 담지하는 소수성 코어 구획과 장쇄 음이온성 핵산을담지하는 양전하 아민 표면 구획을 단일담체 내에 분리 형성하고, 상기 표면 구획이 산 분해성 분리요소 및 탈복합화요소에 의하여 2단으로 방출됨으로써 기능성 억제 출력이 활성종 출력보다 먼저발생하도록 구성한 혈액암 치료용 이중구획 전달체 및 그 제조방법

  10-2026-0137624 2026년 7월 26일

• 혈중 종양세포의 선택 포착, 일산화질소처리 및 항원성 사멸잔해 분획을 위한체외순환 장치 및 그 운전방법

  10-2026-0137570 2026년 7월 26일

• 순환 혈액암 세포의 선택적 포착 및 일산화질소 프로그램형 직접사멸을 이용한 종양부하 감소와 항원특이 면역교육조성물 및 그 용도

  10-2026-0137569 2026년 7월 26일

• 순환종양세포의 전이 관련 표현형을 유지하면서 항원 물량을 증폭하기 위한 체외 단기 확장배양 방법, 배양조성물 및시스템

  10-2026-0137568 2026년 7월 26일

• 프로그램형 면역원성 사멸잔해의 사멸히스토리 규격을 이용한 세포기반 항원제제의 품질관리 방법, 폐루프 제조방법및 시스템

  10-2026-0137566 2026년 7월 26일

• 고유전율 유전체에 내재된 토착 수소를비평형 급랭으로 안정 종단으로 전환하는 광열 처리 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137445 2026년 7월 25일

• 내재 반응성 화학종 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 매립 계면의 비평형 화학처리 방법 및 그에 의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0137436 2026년 7월 25일

• 내재 반응성 화학종 리저버와 자기정렬흡광 캐비티를 구비하는 반도체 구조물

  10-2026-0137437 2026년 7월 25일

• 투과성 기판 상의 산화물 반도체 박막트랜지스터를 전극 금속 자기정렬 흡수체로 국부 광열하여 산소 결손과 수소를제어하고 급랭 동결하는 방법 및 박막트랜지스터 소자

  10-2026-0137438 2026년 7월 25일

• 탄화규소 및 질화갈륨 전력 반도체의 매립 계면을 전극 금속 자기정렬 흡수체로국부 광열하고 계면 내재 리저버를 급랭동결하여 패시베이션하는 방법 및 전력반도체 소자

  10-2026-0137439 2026년 7월 25일

• 기판을 투과하는 서브밴드갭 광을 본딩계면의 금속 패드가 선택 흡수하여 매립본딩 계면을 국부 광열 접합하는 방법및 본딩 구조체

  10-2026-0137440 2026년 7월 25일

• 게이트 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하여 고유전율/실리콘 계면을 국부 광열질화 또는 플루오린화하고 급랭으로 안정 종단하는 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137441 2026년 7월 25일

• 고유전율/실리콘 계면의 계면 산화층 및산소 결손을 국부 광열과 산소 재분포및 급랭 동결로 제어하는 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137443 2026년 7월 25일

• 다단 적층 구조의 형성 중 각 단을 최상층인 동안 광열 패시베이션하는 동시 형성-패시베이션 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137444 2026년 7월 25일

• 국부 광열, 계면 내재 수소 리저버 및 비평형 급랭 동결을 이용한 매립 계면의수소 패시베이션 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137448 2026년 7월 25일

• 기판 투과성 서브밴드갭 광의 표적 선택흡수에 의한 계면 선택적 광열처리 방법및 장치

  10-2026-0137446 2026년 7월 25일

• 소자의 도전성 기능 금속을 자기정렬 흡수체로 이용한 매립 계면의 서브밴드갭광열처리 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137447 2026년 7월 25일

• 내재 수소·중수소 리저버와 서브밴드갭국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 매립계면의 비평형 패시베이션 방법 및 그에의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0137434 2026년 7월 25일

• 고유전율 금속 게이트에서 게이트 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하고 유전체의 토착 수소를 잠재 리저버로 이용한고유전율/실리콘 계면의 서브밴드갭 광열 수소 패시베이션 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137449 2026년 7월 25일

• net-shape 성형으로 전자전도상을 두께방향 정렬한 방향성 이중 공동연속 구조의 무기 복합체 및 그 제조방법

  10-2026-0137450 2026년 7월 25일

• 이종조립에 의한 퍼콜레이션 임계값 저하로 이중 퍼콜레이션 부피분율 창을 확장한 다상 공동연속 무기 복합체 및 그제조방법

  10-2026-0137451 2026년 7월 25일

• 조립 가능 시간창 제어에 의해 공동연속상의 국부 특성길이를 설계하는 다상 공동연속 무기 복합체의 제조방법 및 제조시스템

  10-2026-0137452 2026년 7월 25일

• 표면전하 유도 이종조립으로 복수의 독립 연속망을 형성하는 다상 공동연속 무기 복합체의 제조방법

  10-2026-0137453 2026년 7월 25일

• 전극 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하여 산화하프늄계 강유전 박막을 국부 광열하고 급랭으로 준안정 강유전 직방정상을 동결하는 방법 및 강유전 메모리소자

  10-2026-0137435 2026년 7월 25일

• 고압 수소 어닐을 대체하는 무챔버 서브밴드갭 패시베이션을 이용한 고유전율금속 게이트 로직 소자의 제조 방법 및그 로직 소자

  10-2026-0137431 2026년 7월 25일

• 전극 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하여 저항변화 또는 상변화 메모리 박막을국부 광열하고 급랭으로 저항 상태를 결정하는 내부 상태를 동결하는 방법 및메모리 소자

  10-2026-0137433 2026년 7월 25일

• 중수소가 적재된 고유전율 유전체막을포함하는 내재 리저버 구조물 및 그 제조 방법

  10-2026-0137422 2026년 7월 25일

• 선회 저압 코어 자흡형 미세기포 발생노즐 및 이를 이용한 반응성 기체의 미세기포화 방법

  10-2026-0137414 2026년 7월 25일

• 활성종 기상 담지 전달 방법, 시스템 및전달체

  10-2026-0137415 2026년 7월 25일

• 고유전율 금속게이트 계면의 질소 질화및 혼합 패시베이션 방법 및 그 구조

  10-2026-0137416 2026년 7월 25일

• 고유전율 금속게이트 계면의 불소 강결합 패시베이션 방법 및 그 구조

  10-2026-0137417 2026년 7월 25일

• 반도체 소자의 불소 강결합 매립 계면패시베이션 방법 및 그 구조

  10-2026-0137418 2026년 7월 25일

• 수소 또는 중수소 리저버와 서브밴드갭국부 광열을 이용한 탄화규소 계면의 보조 패시베이션 방법 및 그에 의하여 처리된 소자

  10-2026-0137419 2026년 7월 25일

• 서브밴드갭 국부 광열을 이용한 3차원적층 소자의 상층 티어 계면 저온 처리방법 및 그에 의하여 처리된 소자

  10-2026-0137420 2026년 7월 25일

• 중수소가 적재된 질화규소 라이너막을포함하는 내재 리저버 구조물 및 그 제조 방법

  10-2026-0137421 2026년 7월 25일

• 서브밴드갭 광 흡수체와 미러 금속을 포함하는 자기정렬 흡광 캐비티를 가지는반도체 구조물

  10-2026-0137423 2026년 7월 25일

• 내재 질소 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 탄화규소 계면의 비평형 질화 패시베이션 방법 및그에 의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0137432 2026년 7월 25일

• 반도체 기판을 투과하는 서브밴드갭 광을 이용한 배면 입사 방식의 비평형 계면 패시베이션 방법 및 그에 의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0137424 2026년 7월 25일