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Every filing by Cools, by field.

2,713 filings, as of September 19, 2026

229 results

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  • 상하 역전 광-열 OCF 처리를 갖는 Top-Side Cooled 형 SiC 전력반도체 패키지,그 제조 방법, 광-열 결합 OCF 처리 방법, 및 PCB 우회 양면 방열 시스템

    10-2026-0089458 May 18, 2026

  • 전기적으로 연속된 패턴 도전부를 포함하는 절연-열전도 복합체 및 단자-방열일체형 히트싱크를 갖는 광대역 갭(WBG) 전력반도체 모듈과 그 제조 방법

    10-2026-0089462 May 18, 2026

  • 상변화 열전달 장치 일체형 파워모듈 기판 및 그 제조방법

    10-2026-0089457 May 18, 2026

  • 광-열(Photothermal) 디커플러를 이용한SiC 전력반도체 다이 어태치(Die Attach)구조, 그 제조 방법, 및 광-열 결합 신터링 처리 방법

    10-2026-0089456 May 18, 2026

  • 결정립계 borosilicate 또는 phosphosilicate 글래스상의 자생에 의해 절연파괴전압, 열전도도, 열사이클 신뢰성 및 부분방전 시작전압이 동시에 달성되는 성능스펙 한정형 반응결합 탄화규소 기판 및전력반도체 모듈

    10-2026-0089188 May 18, 2026

  • RBSC 기판 자체의 두께 비대칭, 사전 곡률 부여, 비대칭 표면 텍스처 또는 양면비대칭 산화 후처리에 의한 warpage 제어형 반응결합 탄화규소 기판, 그 제조방법 및 전력반도체 모듈

    10-2026-0089189 May 18, 2026

  • 다이아몬드 와이어톱 슬러지, Si 백그라인딩 슬러지 또는 폐 태양광 셀 회수 Si중 1종 이상으로부터 유래한 재생 Si 침투원, 그 정제·검증 방법 및 그를 이용한입계 절연상 자생형 반응결합 탄화규소기판

    10-2026-0089196 May 18, 2026

  • 산화 분위기 후처리에 의한 결정립계 산화물 절연상 활성화형 반응결합 탄화규소 기판의 제조방법, 다단 산화 공정 및그에 의한 RBSC 기판

    10-2026-0089198 May 18, 2026

  • Al2O3, BaO, MgO, CaO, Y2O3 또는 La2O3 중 1종 이상의 글래스 형성 첨가제로보강된 입계 글래스상 자생형 반응결합탄화규소 기판, 첨가제 함유 침투원 조성물 및 그 제조방법

    10-2026-0089201 May 18, 2026

  • 붕소(B) 50~5000ppm 함유 Si 침투원을이용한 borosilicate 입계 절연상 자생형반응결합 탄화규소 기판, 침투원 및 그제조방법

    10-2026-0089205 May 18, 2026

  • 기공률 20~50% 다공질 SiC 골격을 갖는입계 절연상 자생형 반응결합 탄화규소기판, 다공질 프리폼 및 그 제조방법

    10-2026-0089209 May 18, 2026

  • 두께방향 절연-방열 그래디언트 구조를갖는 반응결합 탄화규소 기판, 그래디언트 다공질 프리폼, 비대칭 침투 제조방법 및 DBC-히트싱크 일체형 전력반도체모듈

    10-2026-0089214 May 18, 2026

  • 도펀트 함유 Si 침투원을 이용한 입계 절연상 자생형 반응결합 탄화규소 기판 및그 제조방법

    10-2026-0089217 May 18, 2026

  • 잔류 실리콘 도메인 기반 반응 결합 탄화규소 표면화학 메탈라이제이션 공정

    10-2026-0089420 May 18, 2026

  • 시스템 마더보드용 반응 결합 탄화규소기판

    10-2026-0089447 May 18, 2026

  • 4-다이 동기 OCF(Ohmic Contact Formation) 광-열 처리 및 voltage balancing 핑거프린트를 갖는 멀티-레벨 전력 변환토폴로지용 SiC 전력반도체 모듈, 그 제조 방법, 및 startup 과전압 자기 방어 시스템

    10-2026-0089455 May 18, 2026

  • 레이저 입사측 광투과 단독 일체형 광-열 디커플러(Photo-Thermal Decoupler)및 이를 이용한 SiC(Silicon Carbide, 실리콘 카바이드) 전력반도체 백사이드(Backside) 레이저 어닐링(Laser Annealing) 방법

    10-2026-0089622 May 18, 2026

  • 반응소결 탄화규소 일체 성형 항공우주용 방열 구조체 및 그 제조방법

    10-2026-0089180 May 18, 2026

  • 반응소결 탄화규소의 그린바디 일체 성형에 의한 무접합 다기능 단일체 구조체및 그 제조방법

    10-2026-0089186 May 18, 2026

  • 반응소결 탄화규소 자유곡면 일체 성형초경량 광학 거울 본체 및 그 제조방법

    10-2026-0089178 May 18, 2026

  • RBSC(Reaction-Bonded Silicon Carbide)기판 상 폴리아민(polyamine) 또는 그로부터 유래된 N-함유 계면 성분을 이용한III-Nitride 박막 형성 방법, 그 구조체, 및이를 포함하는 마이크로 LED, 파워 GaN디바이스, 모놀리식 3차원 집적 소자

    10-2026-0089060 May 18, 2026

  • SiC(Silicon Carbide, 탄화규소) 표면을 HCSA(Hydrodynamic Cavitation Surface Activation, 유체역학적 캐비테이션 표면 활성화)로 전처리한 후 Cu(Copper) sinter본딩하는 방법, 그 구조체, 그리고 이를포함하는 SiC 파워 디바이스 모듈

    10-2026-0089061 May 18, 2026

  • 반응소결 탄화규소 모재 위 화학기상증착 탄화규소 표면층의 조성 그레이딩 계면 구조 및 그 형성 방법

    10-2026-0089176 May 18, 2026

  • GaN 또는 SiC 광대역 갭 전력 반도체와Si 드라이버의 monolithic 이종집적 저온본딩 방법으로서, 본딩 계면이 고전압절연·전기 도통·저열저항 열전도·EMI 차폐 영역으로 차등 형성되는 방법, 그 적층 구조 및 전력 모듈

    10-2026-0088917 May 17, 2026

  • SiC 전력반도체 백사이드 오믹 반응층제어를 위한 광-열 클러치형 레이저 어닐링 장치, 광-열 클러치 모듈 및 방법

    10-2026-0082899 May 8, 2026

  • 박형 SiC 전력반도체의 백사이드 레이저오믹 컨택 형성을 위한 프론트면 무손상열보호 클램프 장치 및 방법

    10-2026-0082902 May 8, 2026

  • 상변화 열전달 장치 일체형 파워모듈 기판

    10-2026-0064030 April 8, 2026

  • 냉각유로 또는 핀-핀 구조가 일체 형성된 상변화 열전달 장치 일체형 파워모듈 기판

    10-2026-0064028 April 8, 2026

  • 상변화 열전달 장치 일체형 파워모듈 기판 및 그 제조방법

    10-2026-0063149 April 8, 2026