테크니컬 노트HBM12단 HBM, 유전체 선접합 후 Cu 일괄 연결
HBM이 12단으로 올라가면 다이는 얇아지고 계면은 늘어난다. 층마다 접합과 열처리를 반복하든 유전체를 먼저 쌓고 오븐에 넣든 적층체 전체가 열이력을 받는다. 12단을 유전체로 먼저 고정하고 Cu 연결은 1500 nm 광열 처리 한 번으로 완성하는 공정을 정리한 기술 자료다.
반도체 패키징 기술과 산업에 관한 쿨스의 리포트, 브리프, 테크니컬 노트입니다.
테크니컬 노트HBMHBM이 12단으로 올라가면 다이는 얇아지고 계면은 늘어난다. 층마다 접합과 열처리를 반복하든 유전체를 먼저 쌓고 오븐에 넣든 적층체 전체가 열이력을 받는다. 12단을 유전체로 먼저 고정하고 Cu 연결은 1500 nm 광열 처리 한 번으로 완성하는 공정을 정리한 기술 자료다.
테크니컬 노트열제어하이브리드 본딩은 Cu 접합을 완성하기 위해 웨이퍼 전체를 0.5~4시간 가열한다. 접합에 필요한 열은 계면 근방 수 마이크로미터에만 필요한데도 그렇다. 1500 nm 광을 실리콘 기판으로 투과시켜 Cu 패드 배면 흡수층에서만 나노초 동안 열을 발생시키는 접근과 그 설계 근거를 정리한 기술 자료다.