출원 전체 목록

출원 특허 2,713건, 2026년 9월 19일 기준

• 전도 가열 등온 스티프너 블록에 의한본드면 면내 온도 균일화 압착 접합 방법

  10-2026-0113017 2026년 6월 20일

• 단일 열사이클에서 스티프너 접합과 제2 레벨 인터커넥트 리플로우를 동시에수행하는 반도체 패키지의 접합 방법

  10-2026-0113022 2026년 6월 20일

• 압착 공접합 스티프너의 워피지 구속으로 제조 가능한 다이 다구성 반도체 패키지

  10-2026-0113023 2026년 6월 20일

• 복수의 다이를 가로질러 공접합된 단일스티프너에 의해 다이 간 차등 휨이 구속되는 다구성 반도체 패키지

  10-2026-0113025 2026년 6월 20일

• 서브밴드갭 광 흡수 라이너를 이용한 무열 구리-구리 하이브리드 본딩 방법, 그구조 및 장치

  10-2026-0112957 2026년 6월 20일

• 무열 접합된 InP 광소자를 구비하는 반응성형 기판 광엔진 및 그 제조방법

  10-2026-0112933 2026년 6월 20일

• 서브밴드갭 광 흡수층을 이용한 인듐 인화물 광소자의 무열 이종집적 접합 방법, 그 구조 및 장치

  10-2026-0112954 2026년 6월 20일

• 서브밴드갭 광 흡수체가 오믹 접합부 및후면 단자 연결부를 겸하는 박막 반도체소자 및 그 저열예산 형성 방법

  10-2026-0112944 2026년 6월 20일

• 형성 시 복수 계면의 저열예산 접합과운용 시 내장 수냉을 단일 구조에서 통합한 웨이퍼스케일 적층 컴퓨팅 구조체및 그 제조방법

  10-2026-0108086 2026년 6월 14일

• 솔더 응고 직후 가압력 제어를 이용한이종 열팽창 구조체의 접합 방법 및 본딩 장치

  10-2026-0108028 2026년 6월 13일

• 투과 파장 광의 조사 분포 제어를 이용한 매립 접합부의 면내 고화 순서 제어접합 방법 및 본딩 장치

  10-2026-0108022 2026년 6월 13일

• 면내 고화 순서 제어를 이용한 이종 열팽창 구조체의 접합 방법, 본딩 장치, 가압부재 및 피접합체

  10-2026-0108024 2026년 6월 13일

• 능동 냉각 스테이지와 상하 동기 강온제어를 이용한 열압착 본딩 장치 및 이종 열팽창 구조체의 접합 방법

  10-2026-0108027 2026년 6월 13일

• 가열 헤드와 냉각 가압헤드를 순차 적용하는 열압착 본딩 장치 및 이종 열팽창구조체의 접합 방법

  10-2026-0108029 2026년 6월 13일

• 박층 단열층과 고열전도 강성층의 복합적층을 구비한 급속 냉각 열압착 본드헤드 및 본딩 장치

  10-2026-0108030 2026년 6월 13일

• 열경로 전환형 가압 냉각을 이용한 열압착 본딩 장치 및 이종 열팽창 구조체의접합 방법

  10-2026-0108031 2026년 6월 13일

• 활성화 온도가 분해 온도보다 높은 화합물 반도체의 국부 과도 광열 및 급랭에의한 도펀트 활성화 방법

  10-2026-0108039 2026년 6월 13일

• 저융점상 또는 저열안정상을 포함하는지지체에 접합된 반도체층의 표면 국소고온 공정 방법 및 복합 구조체

  10-2026-0107979 2026년 6월 13일

• 컨택 플러그 내재 흡수체와 내재화 반응종 리저버를 이용한 실리사이드 계면의국소 광열 처리 방법 및 반도체 컨택 구조

  10-2026-0107981 2026년 6월 13일

• 고유전율 금속 게이트에서 게이트 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하고 유전체의 토착 수소를 잠재 리저버로 이용한고유전율/실리콘 계면의 서브밴드갭 광열 수소 패시베이션 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105062 2026년 6월 9일

• 투과성 기판 상의 산화물 반도체 박막트랜지스터를 전극 금속 자기정렬 흡수체로 국부 광열하여 산소 결손과 수소를제어하고 급랭 동결하는 방법 및 박막트랜지스터 소자

  10-2026-0105051 2026년 6월 9일

• 내재 산소 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 계면의 비평형 저열예산 산화·치밀화 방법 및 그에의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0105043 2026년 6월 9일

• 전극 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하여 저항변화 또는 상변화 메모리 박막을국부 광열하고 급랭으로 저항 상태를 결정하는 내부 상태를 동결하는 방법 및메모리 소자

  10-2026-0105046 2026년 6월 9일

• 내재 수소·중수소 리저버와 서브밴드갭국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 매립계면의 비평형 패시베이션 방법 및 그에의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0105047 2026년 6월 9일

• 전극 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하여 산화하프늄계 강유전 박막을 국부 광열하고 급랭으로 준안정 강유전 직방정상을 동결하는 방법 및 강유전 메모리소자

  10-2026-0105048 2026년 6월 9일

• 내재 반응성 화학종 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 매립 계면의 비평형 화학처리 방법 및 그에 의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0105049 2026년 6월 9일

• 게이트 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하여 고유전율/실리콘 계면을 국부 광열질화 또는 플루오린화하고 급랭으로 안정 종단하는 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105054 2026년 6월 9일

• 기판을 투과하는 서브밴드갭 광을 본딩계면의 금속 패드가 선택 흡수하여 매립본딩 계면을 국부 광열 접합하는 방법및 본딩 구조체

  10-2026-0105053 2026년 6월 9일

• 국부 광열, 계면 내재 수소 리저버 및 비평형 급랭 동결을 이용한 매립 계면의수소 패시베이션 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105061 2026년 6월 9일

• 고유전율/실리콘 계면의 계면 산화층 및산소 결손을 국부 광열과 산소 재분포및 급랭 동결로 제어하는 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105055 2026년 6월 9일

• 다단 적층 구조의 형성 중 각 단을 최상층인 동안 광열 패시베이션하는 동시 형성-패시베이션 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105056 2026년 6월 9일

• 고유전율 유전체에 내재된 토착 수소를비평형 급랭으로 안정 종단으로 전환하는 광열 처리 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105057 2026년 6월 9일

• 기판 투과성 서브밴드갭 광의 표적 선택흡수에 의한 계면 선택적 광열처리 방법및 장치

  10-2026-0105058 2026년 6월 9일

• 소자의 도전성 기능 금속을 자기정렬 흡수체로 이용한 매립 계면의 서브밴드갭광열처리 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0105059 2026년 6월 9일

• 내재 질소 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 계면의 비평형 질화 패시베이션 방법 및 그에 의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0105042 2026년 6월 9일

• 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을이용한 하이브리드 본딩 계면의 비평형패시베이션 또는 개질 방법 및 그에 의하여 처리된 본딩 구조물

  10-2026-0105039 2026년 6월 9일

• 서브밴드갭 국부 광열을 이용한 3차원적층 소자의 상층 티어 계면 저온 처리방법 및 그에 의하여 처리된 소자

  10-2026-0105033 2026년 6월 9일

• 비대칭 열클러치를 이용한 반도체 본딩방법, 본딩 장치 및 본딩 조립체

  10-2026-0103977 2026년 6월 8일

• 공정 내재 흡광 발열층의 자기정렬 흡광을 이용한 하이브리드 본딩 접합부의 후면 레이저 어닐 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법

  10-2026-0102939 2026년 6월 6일

• 웨이퍼 대 웨이퍼 하이브리드 본딩에 의한 다단 DRAM 적층 메모리의 제조방법으로서, 매 본딩 계면 어닐 시 하부 적층다이의 누적 열 예산을 임계 이하로 유지하는 방법

  10-2026-0102942 2026년 6월 6일

• 워킹면 직접 본딩에 의한 다층 셀 데크적층 반도체 메모리의 제조방법으로서,본딩 계면의 후면 선택 어닐을 이용하여양 데크 셀 어레이의 열손상을 억제하는방법

  10-2026-0102941 2026년 6월 6일

• 로직 웨이퍼와 메모리 웨이퍼의 웨이퍼대 웨이퍼 이종(異種) 하이브리드 본딩에 의한 적층형 AI 가속기 제조방법으로서, 본딩 계면 어닐 시 로직과 메모리 양측의 열화 임계를 동시에 만족시키는 방법

  10-2026-0102940 2026년 6월 6일

• 규칙적 배열 아민기 함유 분자층을 갖는구리 입자를 포함하는 저온·저압 구리소결 페이스트 및 이를 이용한 반도체접합 방법

  10-2026-0102960 2026년 6월 6일

• 비대칭 열확산 본드헤드 구조

  10-2026-0102928 2026년 6월 6일

• 상감 매립형 본드헤드

  10-2026-0102927 2026년 6월 6일

• 방열 패키지 베이스가 일체화된 후전사형 반도체 모듈 — 반도체 활성 적층체또는 박막 반도체 디바이스 적층체를 다이본딩 단계 없이 패키지 베이스에 직접후전사하는 방법 및 그 반도체 모듈

  10-2026-0102901 2026년 6월 6일

• 실리콘카바이드계 지지층을 포함하는인듐포스파이드계 III-V 광기능 박막 적층체에서 선택흡수영역을 국부 광열 처리하는 방법, 그 광반도체 소자 및 광열처리 장치

  10-2026-0102917 2026년 6월 6일

• 실리콘카바이드계 박막을 매개로 실리콘 시모스 판독 집적회로 위에 전사·접합된 인듐갈륨비소계 광검출 적층체를포함하는 단파장 적외선 이미지센서, 그카메라 모듈 및 제조 방법

  10-2026-0102921 2026년 6월 6일

• 본드헤드 어레이 구조 및 어레이 운영방법

  10-2026-0102923 2026년 6월 6일

• 다층 임피던스 정합 본드헤드

  10-2026-0102924 2026년 6월 6일