출원 전체 목록

출원 특허 2,713건, 2026년 9월 19일 기준

• 일측 접합면에 형성된 기능성 분자계면층을 이용하는 범프리스 다이 하이브리드 접합 방법

  10-2026-0148326 2026년 8월 9일

• 무부산물 유전체 선접합과 금속 선택 활성화를 결합한 저열예산 하이브리드 본딩 방법 및 그 구조

  10-2026-0148317 2026년 8월 9일

• 사전 분자계면 처리된 범프리스 플러시다이의 하이브리드 접합 구조 및 그 제조방법

  10-2026-0148289 2026년 8월 9일

• 다관능 계면층 및 방향성 이동접촉을 이용한 무기기판-금속포일 전면접합체, 그제조방법 및 제조장치

  10-2026-0148241 2026년 8월 9일

• 분산 관통 개구를 계면 배기통로로 이용하는 천공 무기기판-금속포일 라미네이션 방법 및 그 접합구조

  10-2026-0148286 2026년 8월 9일

• 전면 초기접합 완료 전에 유전체 축합결합을 진행하는 하이브리드 접합방법 및장치

  10-2026-0148250 2026년 8월 9일

• 삼차원 다관능 아민 네트워크를 갖는 무기기판-금속포일 접합체 및 그 제조방법

  10-2026-0148270 2026년 8월 9일

• 초기접합프론트와 축합프론트의 동기이동 및 전방 비접촉 개방영역을 이용한축합 생성유체 배출형 저열예산 하이브리드 본딩 방법, 접합구조체 및 제조장치

  10-2026-0148262 2026년 8월 9일

• 예열된 기판의 현열을 이용한 접합파 동기 축합 하이브리드 접합방법

  10-2026-0148263 2026년 8월 9일

• 상부 및 하부 선택광조사와 가압을 수행하는 이종 배선기판용 반도체 칩 접합장치 및 접합방법

  10-2026-0148212 2026년 8월 8일

• 접합부 상태검출에 의한 폐루프 광조사및 가압제어형 반도체 칩 접합방법과 시스템

  10-2026-0148207 2026년 8월 8일

• 투광성 캐리어를 통한 하부 광조사와 상부 가압을 이용하는 반도체 칩의 계면선택 접합방법 및 적층구조

  10-2026-0148184 2026년 8월 8일

• 패드 대응 광흡수배열을 이용한 복수 범프 병렬 선택가열형 반도체 칩 접합방법및 장치

  10-2026-0148183 2026년 8월 8일

• 실리콘 배선영역의 위치정보에 연동된영역별 광조사 순서제어형 반도체 칩 접합방법 및 장치

  10-2026-0148204 2026년 8월 8일

• 모기판과 계면 기능막의 분광흡수 대비를 이용한 열팽창 정합형 선택적 금속접합 구조 및 방법

  10-2026-0148092 2026년 8월 7일

• 접합 전극, 급전면, 도금 음극 및 도전패턴을 겸하는 금속포일을 이용한 관통전극 기판의 제조방법 및 관통전극 기판

  10-2026-0147406 2026년 8월 7일

• 아크릴계 투명 고분자 기판의 표면부 연화와 관능기 계면결합의 협동에 의한 금속포일 접합방법 및 이에 의해 제조된투명배선기판

  10-2026-0147402 2026년 8월 7일

• 반도체 비표적영역의 저흡수 광전달과표적영역의 선택흡수를 이용한 국부 광열처리 방법, 장치 및 반도체 구조

  10-2026-0145295 2026년 8월 4일

• 접합계면의 순간 고온화와 기능소자 벌크의 저온 유지를 병행하는 시공간 선택형 펄스 접합방법

  10-2026-0144288 2026년 8월 3일

• 내장 접합성 물질로 형성된 열전달 및전류확산 복합 브리지를 구비하는 반도체 소자 구조

  10-2026-0144312 2026년 8월 3일

• 게르마늄계 접합성 물질 리저버를 내장한 지지체를 이용한 실리콘 반도체 칩의국부 상변화 접합 구조 및 그 제조방법

  10-2026-0144161 2026년 8월 3일

• 화학기계연마 없이 Cu(111) 접합면과 유전체 표면을 공면화한 하이브리드 본딩구조 및 그 제조방법

  10-2026-0142861 2026년 7월 31일

• 구리 패드 하부 배리어층의 선택적 광흡수를 이용한 국부 펄스 하이브리드 본딩방법 및 그 접합 구조

  10-2026-0142864 2026년 7월 31일

• 아민기 함유 계면층을 이용한 구리 접합패드의 Cu(111) 선택 핵생성 및 성장방향 제어방법과 이에 의하여 제조된 반도체 접합 패드

  10-2026-0142867 2026년 7월 31일

• Cu(111) 결정배향 접합면이 강제된 구리패드 및 이를 이용한 국부 펄스 완결형하이브리드 본딩

  10-2026-0142876 2026년 7월 31일

• Cu(111) 접합면과 결정성 구리 산화물계면으로 구성된 하이브리드 본딩용 접합 전구체 구조 및 그 형성방법

  10-2026-0142880 2026년 7월 31일

• 패드별 또는 패드군별 조사 맵에 따른프로그래머블 순차 펄스 하이브리드 본딩 방법 및 그 접합 구조

  10-2026-0142858 2026년 7월 31일

• Cu(111) 접합면의 배향 검사, 판정 및 보정이 결합된 폐루프 반도체 접합 패드제조방법

  10-2026-0142856 2026년 7월 31일

• 다결정 구리 패드 상에 형성된 Cu(111)접합 캡층을 구비하는 반도체 접합 패드및 이를 이용한 하이브리드 본딩 구조

  10-2026-0142853 2026년 7월 31일

• 전자 전도와 원자 확산을 분리하는 초박막 폴리아민 계면층을 개재한 이종 금속직접 접합 구조체 및 그 제조방법

  10-2026-0140932 2026년 7월 29일

• 전사된 미세배선 구조체와 시스템 실장용 보드 사이의 열기계 응력을 완충하는접합부 구조를 갖는 반도체 패키지 및그 제조방법

  10-2026-0139861 2026년 7월 28일

• 고유전율 유전체에 내재된 토착 수소를비평형 급랭으로 안정 종단으로 전환하는 광열 처리 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137445 2026년 7월 25일

• 내재 반응성 화학종 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 매립 계면의 비평형 화학처리 방법 및 그에 의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0137436 2026년 7월 25일

• 투과성 기판 상의 산화물 반도체 박막트랜지스터를 전극 금속 자기정렬 흡수체로 국부 광열하여 산소 결손과 수소를제어하고 급랭 동결하는 방법 및 박막트랜지스터 소자

  10-2026-0137438 2026년 7월 25일

• 기판을 투과하는 서브밴드갭 광을 본딩계면의 금속 패드가 선택 흡수하여 매립본딩 계면을 국부 광열 접합하는 방법및 본딩 구조체

  10-2026-0137440 2026년 7월 25일

• 게이트 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하여 고유전율/실리콘 계면을 국부 광열질화 또는 플루오린화하고 급랭으로 안정 종단하는 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137441 2026년 7월 25일

• 고유전율/실리콘 계면의 계면 산화층 및산소 결손을 국부 광열과 산소 재분포및 급랭 동결로 제어하는 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137443 2026년 7월 25일

• 다단 적층 구조의 형성 중 각 단을 최상층인 동안 광열 패시베이션하는 동시 형성-패시베이션 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137444 2026년 7월 25일

• 국부 광열, 계면 내재 수소 리저버 및 비평형 급랭 동결을 이용한 매립 계면의수소 패시베이션 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137448 2026년 7월 25일

• 기판 투과성 서브밴드갭 광의 표적 선택흡수에 의한 계면 선택적 광열처리 방법및 장치

  10-2026-0137446 2026년 7월 25일

• 소자의 도전성 기능 금속을 자기정렬 흡수체로 이용한 매립 계면의 서브밴드갭광열처리 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137447 2026년 7월 25일

• 내재 수소·중수소 리저버와 서브밴드갭국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 매립계면의 비평형 패시베이션 방법 및 그에의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0137434 2026년 7월 25일

• 고유전율 금속 게이트에서 게이트 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하고 유전체의 토착 수소를 잠재 리저버로 이용한고유전율/실리콘 계면의 서브밴드갭 광열 수소 패시베이션 방법 및 반도체 소자

  10-2026-0137449 2026년 7월 25일

• 전극 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하여 산화하프늄계 강유전 박막을 국부 광열하고 급랭으로 준안정 강유전 직방정상을 동결하는 방법 및 강유전 메모리소자

  10-2026-0137435 2026년 7월 25일

• 전극 금속을 자기정렬 흡수체로 이용하여 저항변화 또는 상변화 메모리 박막을국부 광열하고 급랭으로 저항 상태를 결정하는 내부 상태를 동결하는 방법 및메모리 소자

  10-2026-0137433 2026년 7월 25일

• 서브밴드갭 국부 광열을 이용한 3차원적층 소자의 상층 티어 계면 저온 처리방법 및 그에 의하여 처리된 소자

  10-2026-0137420 2026년 7월 25일

• 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을이용한 하이브리드 본딩 계면의 비평형패시베이션 또는 개질 방법 및 그에 의하여 처리된 본딩 구조물

  10-2026-0137425 2026년 7월 25일

• 내재 질소 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 계면의 비평형 질화 패시베이션 방법 및 그에 의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0137428 2026년 7월 25일

• 내재 산소 리저버와 서브밴드갭 국부 광열 및 급랭 동결을 이용한 계면의 비평형 저열예산 산화·치밀화 방법 및 그에의하여 처리된 반도체 구조물

  10-2026-0137429 2026년 7월 25일

• 수소 종단면의 공간 선택 계면 광열 탈착과 탈착 수소 제거에 의한 단결정 반도체 소자층의 저온 직접 접합 방법 및그 접합 구조

  10-2026-0137353 2026년 7월 25일